SST39VF802C-70-4I-B3KE

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SST39VF802C-70-4I-B3KE概述

SST39VF801C/802C 并行 SuperFlash® 闪存### 闪存,Microchip

SST39VF801C/802C 并行 SuperFlash® 闪存


得捷:
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA


立创商城:
SST39VF802C-70-4I-B3KE


欧时:
Microchip SST39VF802C-70-4I-B3KE 闪存, 8Mbit 512K x 16, 并行接口, 70ns, 2.7 → 3.6 V, 48引脚 TFBGA封装


艾睿:
Flash Parallel 3.3V 8M-bit 512K x 16 70ns 48-Pin TFBGA Tray


Allied Electronics:
Memory, Flash, 8Mbit, 512Kx16, 70ns, TFBGA48


安富利:
Flash Parallel 3.3V 8Mbit 512K x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA


Chip1Stop:
Flash Parallel 3.3V 8Mbit 512K x 16bit 70ns 48-Pin TFBGA


TME:
Multi-Purpose Flash+ memory; Parallel Flash x16; 70ns; TFBGA48


Newark:
# MICROCHIP  SST39VF802C-70-4I-B3KE  Flash Memory, Boot Block, 8 Mbit, 512K x 16bit, 5 MHz, Parallel, BGA, 48 Pins


DeviceMart:
IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48TFBGA


Win Source:
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA / FLASH Memory IC 8Mb 512K x 16 Parallel 70 ns 48-TFBGA 6x8


SST39VF802C-70-4I-B3KE中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 5 MHz

位数 16

存取时间 70 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 6 mm

高度 0.75 mm

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

SST39VF802C-70-4I-B3KE引脚图与封装图
SST39VF802C-70-4I-B3KE引脚图
SST39VF802C-70-4I-B3KE封装图
SST39VF802C-70-4I-B3KE封装焊盘图
在线购买SST39VF802C-70-4I-B3KE
型号: SST39VF802C-70-4I-B3KE
制造商: Microchip 微芯
描述:SST39VF801C/802C 并行 SuperFlash® 闪存 ### 闪存,Microchip
替代型号SST39VF802C-70-4I-B3KE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SST39VF802C-70-4I-B3KE

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SST39VF802C-70-4I-B3KE和SST39VF802C-70-4I-B3KE-T的区别

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