SST26VF032B-104I/MF

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SST26VF032B-104I/MF概述

MICROCHIP  SST26VF032B-104I/MF  闪存, 或非, 32 Mbit, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚

SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器

的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 SPI 协议。

通过使用 SuperFlash® 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。

### 特点

串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构

x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议

高速时钟频率 - 最大 104 MHz

脉冲串模式

低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型)

快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型)

灵活的擦除能力

软件写入保护

### 闪存,Microchip

SST26VF032B-104I/MF中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 3.6V

供电电流 20 mA

针脚数 8

时钟频率 104 MHz

内存容量 4000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 5 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Communications & Networking, 工业, Industrial, 医用, 通信与网络, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991.b.1.a

HTS代码 8542320051

数据手册

SST26VF032B-104I/MF引脚图与封装图
SST26VF032B-104I/MF封装焊盘图
在线购买SST26VF032B-104I/MF
型号: SST26VF032B-104I/MF
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  SST26VF032B-104I/MF  闪存, 或非, 32 Mbit, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚
替代型号SST26VF032B-104I/MF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SST26VF032B-104I/MF

Microchip 微芯

当前型号

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SST26VF032BT-104I/MF

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