INFINEON SPI08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
安富利:
800V CoolMOS™ C3 is Infineon"s third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-262
儒卓力:
**N-CH 800V 8A 650mOhm TO262-3 **
力源芯城:
800V,650mΩ,8A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.56 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.10 nF
栅电荷 52.0 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3-1
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17