SPP08N80C3

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SPP08N80C3概述

INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
SPP08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNE


立创商城:
N沟道 800V 8A


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3


儒卓力:
**N-CH 800V 8A 650mOhm TO220-3 **


力源芯城:
800V,8A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB


SPP08N80C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

额定功率 104 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 104 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPP08N80C3
型号: SPP08N80C3
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPP08N80C3
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