SM8S26AHE3/2D

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SM8S26AHE3/2D中文资料参数规格
技术参数

工作电压 26 V

击穿电压 28.9 V

钳位电压 42.1 V

测试电流 5 mA

最大反向击穿电压 31.9 V

脉冲峰值功率 6600 W

最小反向击穿电压 28.9 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-218AB-2

外形尺寸

长度 13.7 mm

封装 DO-218AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SM8S26AHE3/2D
型号: SM8S26AHE3/2D
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 26V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified
替代型号SM8S26AHE3/2D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SM8S26AHE3/2D

Vishay Semiconductor 威世

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SM8S26A-E3/2D

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完全替代

SM8S26AHE3/2D和SM8S26A-E3/2D的区别

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