SKM100GB12T4G

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SKM100GB12T4G概述

SEMIKRON SKM100GB12T4G IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 154A, 1.85V, 1.2kV, Module

**Features:

**

* IGBT4 = 4. Generation Trench IGBT

* VCEsat with Positive Temperature Coefficient

* High short circuit Capability, Self Limiting to 6 × ICNOM

* Electronic Welders at fSW Up-to-20 kHz

**Applications:**

* AC Inverter Drives

* UPS

* Electronic Welders at fSW Up-to-20 kHz


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 154A 7-Pin


Allied Electronics:
IGBT halfbridge - trench


TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:118A; Ifsm:300A; SEMITRANS3


Newark:
# SEMIKRON  SKM100GB12T4G  IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 154 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module


SKM100GB12T4G中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

热阻 0.038K/W RθJC

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 Semitrans3

外形尺寸

长度 106.4 mm

高度 30.5 mm

封装 Semitrans3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SKM100GB12T4G
制造商: Semikron 赛米控
描述:SEMIKRON SKM100GB12T4G IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 154A, 1.85V, 1.2kV, Module

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