SIHP22N60S-E3

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SIHP22N60S-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 22.0 A

上升时间 68 ns

下降时间 59 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIHP22N60S-E3
描述:VISHAY SIHP22N60S-E3 Power MOSFET, N Channel, 22A, 600V, 160mohm, 10V, 2V

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