SEMIX653GB176HDS

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SEMIX653GB176HDS概述

IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃

Trench IGBT Modules

Features

• Homogeneous Si

• Trench = Trenchgate technology

• VCEsat with positive temperature coefficient

• UL recognised file no. E63532

Typical Applications
.

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1700V 619A 17-Pin Case GB


Newark:
# SEMIKRON  SEMIX653GB176HDS  IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 619 A, 2.45 V, 1.2 V, SEMiX 3s


SEMIX653GB176HDS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

上升时间 90.0 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 16

封装 SEMiX 3s

外形尺寸

封装 SEMiX 3s

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SEMIX653GB176HDS
型号: SEMIX653GB176HDS
制造商: Semikron 赛米控
描述:IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃

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