STP55NE06FP

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STP55NE06FP中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP55NE06FP
型号: STP55NE06FP
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
替代型号STP55NE06FP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

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