S1G-E3

S1G-E3图片1
S1G-E3图片2
S1G-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.00 A

反向恢复时间 1.8 µs

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 40 A

正向电压Max 1.1 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买S1G-E3
型号: S1G-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY S1G-E3 Standard Recovery Diode, 400V, 1A, Single, 1.1V, 1.8µs, 40A
替代型号S1G-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Vishay Semiconductor 威世

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