峰值波长 935 nm
耗散功率 0.07 W
上升时间 75000 ns
下降时间 75000 ns
下降时间Max 75000 ns
上升时间Max 75000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 70 mW
安装方式 Through Hole
封装 T-1
材质 Silicon
RoHS标准 RoHS Compliant
HTS代码 8541407080
数据手册
