酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
通孔 N 通道 600 V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 3.2A IPAK-3 CoolMOS C3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin TO-251 Tube
儒卓力:
**N-CH 600V 3A 1400mOhm TO251-3 **
Win Source:
Cool MOS Power Transistor
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 3 ns
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPS03N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STD3NM60T4 意法半导体 | 功能相似 | SPS03N60C3和STD3NM60T4的区别 |