SPI20N60CFD

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SPI20N60CFD中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.22 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SPI20N60CFD
制造商: Infineon 英飞凌
描述:酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology
替代型号SPI20N60CFD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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