




晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
Benefits:
Target Applications:
针脚数 3
漏源极电阻 0.06 Ω
极性 N-CH
耗散功率 415 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 47A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 7000pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 415W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPW47N65C3FKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPW47N60C3FKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPW47N65C3FKSA1和SPW47N60C3FKSA1的区别 |