酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
表面贴装型 N 通道 600 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
600V,4.5A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
额定电压DC 600 V
额定电流 4.50 A
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
输入电容 580 pF
栅电荷 22.9 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 580pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
宽度 6.22 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD04N60S5 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD04N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPD04N60S5和SPD04N60C3的区别 |