N沟道 650V 1.8A
通孔 N 通道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
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N沟道 650V 1.8A
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MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
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MOSFET LOW POWER_LEGACY
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Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
额定电压DC 650 V
额定电流 1.80 A
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
输入电容 200 pF
栅电荷 12.5 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPU02N60C3BKMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPS02N60C3 英飞凌 | 完全替代 | SPU02N60C3BKMA1和SPS02N60C3的区别 |