SPA20N60CFDXKSA1

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SPA20N60CFDXKSA1概述

INFINEON  SPA20N60CFDXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V

The SPA20N60CFD is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC Power, solar, phase-shift ZVS, DC-to-AC power and adapter applications.

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New revolutionary high voltage technology
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Extreme dV/dt rated
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Periodic avalanche rated
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Extremely low reverse recovery charge
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Qualified according to JEDEC for target applications
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High peak current capability
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Intrinsic fast-recovery body diode
SPA20N60CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-CH

耗散功率 35 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.7A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Electronics, Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking, Industrial, Power Management, Alternative Energy, , 消费电子产品, 替代能源, 通信与网络, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: SPA20N60CFDXKSA1
描述:INFINEON  SPA20N60CFDXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V

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