Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
立创商城:
N沟道 500V 4.5A
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N50C3ATMA1, 4.5 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Compared to traditional transistors, SPD04N50C3ATMA1 power MOSFETs, developed by Infineon Technologies, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 50000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with coolmos technology.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Communications & Networking, Power Management, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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