TO-262 N-CH 650V 20.7A
N-Channel 600V 20.7A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO262-3
贸泽:
MOSFET Order Manufacturer Part Number SPI20N60C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-262 Tube
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
极性 N-CH
耗散功率 208W Tc
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 6.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI20N60C3HKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPI20N60C3XKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SPI20N60C3HKSA1和SPI20N60C3XKSA1的区别 |