Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
SPD08P06PGBTMA1
贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin2+Tab TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.8A; 42W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON SPD08P06PGBTMA1 MOSFET Transistor, P Channel, -8.83 A, -60 V, 0.23 ohm, -6.2 V, -3 V
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
额定功率 42 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 42 W
阈值电压 3 V
输入电容 335 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 8.83A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 420pF @25VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Onboard charger, 车用, 便携式器材, 电机驱动与控制, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, Portable Devices, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17