SPI12N50C3HKSA1

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SPI12N50C3HKSA1概述

TO-262 N-CH 500V 11.6A

N-Channel 500V 11.6A Tc 125W Tc Through Hole PG-TO262-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 500V 11.6A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


SPI12N50C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 11.6A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SPI12N50C3HKSA1
型号: SPI12N50C3HKSA1
描述:TO-262 N-CH 500V 11.6A
替代型号SPI12N50C3HKSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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