SI4410DYPBF

SI4410DYPBF图片1
SI4410DYPBF图片2
SI4410DYPBF图片3
SI4410DYPBF图片4
SI4410DYPBF图片5
SI4410DYPBF图片6
SI4410DYPBF图片7
SI4410DYPBF图片8
SI4410DYPBF图片9
SI4410DYPBF图片10
SI4410DYPBF概述

N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

SI4410DYPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 7.7 ns

输入电容Ciss 1585pF @15VVds

下降时间 44 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SI4410DYPBF
型号: SI4410DYPBF
描述:N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
替代型号SI4410DYPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4410DYPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SI4410DYTRPBF

英飞凌

类似代替

SI4410DYPBF和SI4410DYTRPBF的区别

SI4410DY

英飞凌

类似代替

SI4410DYPBF和SI4410DY的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台