SPI11N65C3HKSA1概述
TO-262 N-CH 650V 11A
N-Channel 650V 11A Tc 125W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
SPI11N65C3HKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
输入电容 1.20 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号SPI11N65C3HKSA1
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI11N65C3HKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPI11N65C3XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SPI11N65C3HKSA1和SPI11N65C3XKSA1的区别 |