SPA20N65C3

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SPA20N65C3概述

新的革命高电压技术,超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

Feature

• New revolutionary high voltage technology

• Worldwide best RDSon in TO 220

• Ultra low gate charge

• Periodic avalanche rated

• Extreme dv/dt rated

• High peak current capability

• Improved transconductance


立创商城:
N沟道 650V 20.7A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP


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Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
650V,20.7A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220


SPA20N65C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 34.5 W

输入电容 2.40 nF

栅电荷 114 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 34.5 W

下降时间 4.5 ns

耗散功率Max 34.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPA20N65C3
型号: SPA20N65C3
描述:新的革命高电压技术,超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
替代型号SPA20N65C3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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