新的革命高电压技术,超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Worldwide best RDSon in TO 220
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• High peak current capability
• Improved transconductance
立创商城:
N沟道 650V 20.7A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
650V,20.7A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 34.5 W
输入电容 2.40 nF
栅电荷 114 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 34.5 W
下降时间 4.5 ns
耗散功率Max 34.5W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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