INFINEON SPD06N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 6.2A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.68 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 6.2A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD06N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD08N50C3 英飞凌 | 类似代替 | SPD06N60C3ATMA1和SPD08N50C3的区别 |
SPD06N60C3BTMA1 英飞凌 | 类似代替 | SPD06N60C3ATMA1和SPD06N60C3BTMA1的区别 |