INFINEON SPD03N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 3.2A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 3.2A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 / N-Channel 600 V 3.2A Tc 38W Tc Surface Mount PG-TO252-3-1
针脚数 3
漏源极电阻 1.26 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 3.2A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3-1
封装 TO-252-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management, Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Communications & Networ
RoHS标准
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD03N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD03N60C3 英飞凌 | 功能相似 | SPD03N60C3ATMA1和SPD03N60C3的区别 |
SPD04N50C3 英飞凌 | 功能相似 | SPD03N60C3ATMA1和SPD04N50C3的区别 |