SPD08N50C3ATMA1

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SPD08N50C3ATMA1概述

N-CH 500V 7.6A

表面贴装型 N 通道 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Infineon Technologies&s; SPD08N50C3ATMA1 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 83000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes coolmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK


SPD08N50C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.6A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 750pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SPD08N50C3ATMA1
描述:N-CH 500V 7.6A
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