SPP20N60C3XKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPP20N60C3XKSA1概述

INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1

欧时:
INFINEON MOSFET SPP20N60C3XKSA1

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220

SPP20N60C3XKSA1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Man, Computers & Computer Peripherals, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SPP20N60C3XKSA1引脚图与封装图

在线购买SPP20N60C3XKSA1

型号： SPP20N60C3XKSA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

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替代型号SPP20N60C3XKSA1

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