STD12NE06L

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STD12NE06L中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 90.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35.0 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买STD12NE06L
型号: STD12NE06L
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO- 251 / TO- 252的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.09ohm- 12A TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET
替代型号STD12NE06L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD12NE06L

ST Microelectronics 意法半导体

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