SGI02N120XKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGI02N120XKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3Pin3+Tab TO-262 Tube

IGBT NPT 6.2 A 62 W 通孔 PG-TO262-3-1

得捷:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3

贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

SGI02N120XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 62 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SGI02N120XKSA1

型号： SGI02N120XKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3Pin3+Tab TO-262 Tube