SKB02N120ATMA1

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SKB02N120ATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 6.2A 3Pin2+Tab TO-263

Summary of Features:

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30% lower E off compared to previous generation
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Short circuit withstand time – 10μs
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Designed for operation above 30kHz
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High ruggedness, temperature stable behaviour
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Pb-free lead plating; RoHS compliant
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Qualified according to JEDEC for target applications

Target Applications:

offers a comprehensive IGBT portfolio for the general purpose inverters, solar inverters, UPS, induction heating, microwave oven, rice cookers,  welding and SMPS segments.

SKB02N120ATMA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 62000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 50 ns

额定功率Max 62 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SKB02N120ATMA1
型号: SKB02N120ATMA1
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 6.2A 3Pin2+Tab TO-263

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