Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R
IGBT NPT 表面贴装型 PG-TO252-3
得捷: IGBT, 6A IC, 600V VBRCES, N-
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab DPAK
耗散功率 30000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册