SN7002WH6327XTSA1

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SN7002WH6327XTSA1概述

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3


欧时:
Infineon MOSFET SN7002W H6327


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The SN7002WH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies provides the solution. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes sipmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323


SN7002WH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 2.3 Ω

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.23A

上升时间 2.8 ns

输入电容Ciss 45pF @25VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SN7002WH6327XTSA1
型号: SN7002WH6327XTSA1
描述:Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

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