SGB10N60AATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGB10N60AATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin2+Tab TO-263

IGBT NPT 600 V 20 A 92 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2

得捷:
IGBT, 20A IC, 600V VBRCES, N

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK

SGB10N60AATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 92000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 92 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 92000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SGB10N60AATMA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin2+Tab TO-263