SGW15N120FKSA1

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SGW15N120FKSA1概述

在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology

IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3


得捷:
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3


SGW15N120FKSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 198000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 198 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 198000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SGW15N120FKSA1
型号: SGW15N120FKSA1
描述:在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology

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