Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab TO-263
IGBT NPT 600 V 6 A 30 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2
得捷: IGBT 600V 6A 30W TO263-3
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK
Chip1Stop: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin2+Tab TO-263
耗散功率 30000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 130 ns
额定功率Max 30 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
数据手册