SKP02N60XKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SKP02N60XKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT NPT 600V 6A 30W Through Hole PG-TO220-3

得捷:
IGBT 600V 6A 30W TO220-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
IGBT 600V 6A 30W TO220-3

SKP02N60XKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 30 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SKP02N60XKSA1

型号： SKP02N60XKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 30000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube