SKW15N120FKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SKW15N120FKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247

IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin3+Tab TO-247

SKW15N120FKSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 65 ns

额定功率Max 198 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 198000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SKW15N120FKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin3+Tab TO-247