INFINEON SGW30N60FKSA1 单晶体管, IGBT, 41 A, 2.4 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
分离式 IGBT
Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术,如 NPT、Trenchstop™ 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用,包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。
得捷:
IGBT NPT 600V 41A TO247-3
欧时:
Infineon SGW30N60FKSA1 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
e络盟:
单晶体管, IGBT, 41 A, 2.4 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
艾睿:
The SGW30N60FKSA1 IGBT transistor from Infineon Technologies is the best electronic switch for fast switching. Its maximum power dissipation is 250000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
上升时间 35.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.9 mm
宽度 5.3 mm
高度 20.95 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 替代能源, Power Management, Alternative Energy, Microwave, Industrial, Industrial, 工业, 电源管理, Alternative Energy, 微波, Power Management, Microwave
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/06/27
ECCN代码 EAR99