STB14NM65N

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STB14NM65N概述

N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

表面贴装型 N 通道 650 V 12A(Tc) 125W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK


艾睿:
This STB14NM65N power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 125000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB14NM65N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB14NM65N
型号: STB14NM65N
描述:N沟道650 V, 0.33 Ω , 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , D2PAK , I2PAK , TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
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