MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
通孔 N 通道 7.5A(Tc) 156W(Tc) TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STW9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? STMicroelectronics&s; STW9NK70Z power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 156000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
额定电压DC 700 V
额定电流 7.50 A
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1370pF @25VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.9 mm
宽度 20.3 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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