STMICROELECTRONICS STB32N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STB32N65M5, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STB32N65M5 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device utilizes mdmesh v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB32N 系列 N 沟道 650 V 24 A 119 mOhm 150 W MDmesh 功率 MosFet - D2PAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 150W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3320pF @100VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17