STH180N10F3-2

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STH180N10F3-2概述

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2


欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
This STH180N10F3-2 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 315000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with stripfet iii technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


富昌:
STH180N10F3-2 系列 100 V 4.5 mOhm N 沟道 STripFET™III 功率 Mosfet -H2PAK-2


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STH180N10F3-2  MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V


力源芯城:
100V,3.9mΩ,180A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK


STH180N10F3-2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.0039 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 315 W

阈值电压 2 V

输入电容 6665 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 97.1 ns

输入电容Ciss 6665pF @25VVds

额定功率Max 315 W

下降时间 6.9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 315W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STH180N10F3-2
型号: STH180N10F3-2
描述:N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STH180N10F3-2
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