N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
This STH180N10F3-2 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 315000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This device is made with stripfet iii technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
富昌:
STH180N10F3-2 系列 100 V 4.5 mOhm N 沟道 STripFET™III 功率 Mosfet -H2PAK-2
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STH180N10F3-2 MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2 V
力源芯城:
100V,3.9mΩ,180A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
针脚数 4
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 315 W
阈值电压 2 V
输入电容 6665 pF
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 97.1 ns
输入电容Ciss 6665pF @25VVds
额定功率Max 315 W
下降时间 6.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 15.8 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STH180N10F3-2 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STF4N62K3 意法半导体 | 功能相似 | STH180N10F3-2和STF4N62K3的区别 |
STU3N45K3 意法半导体 | 功能相似 | STH180N10F3-2和STU3N45K3的区别 |
STU4N62K3 意法半导体 | 功能相似 | STH180N10F3-2和STU4N62K3的区别 |