STN3N45K3

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STN3N45K3概述

STMICROELECTRONICS  STN3N45K3  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 Si N沟道 MOSFET STN3N45K3, 600 mA, Vds=450 V, 3针+焊片


得捷:
MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223


立创商城:
N沟道 450V 600mA


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 450 V, 600 mA, 3.2 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
STN3N45K3 系列 450 V 3.8 Ohm N沟道 SuperMESH3 功率 MosFet - SOT-223


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.6A; 3W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**N-CHAN.MOS-FET 0,6A 450V SOT223 **


力源芯城:
450V,3.3Ω,0.6A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223


STN3N45K3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 3.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 450 V

输入电容Ciss 150pF @25VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STN3N45K3
型号: STN3N45K3
描述:STMICROELECTRONICS  STN3N45K3  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STN3N45K3
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