STI24NM60N

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STI24NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STI24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STI24NM60N  Power MOSFET, N Channel, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,17A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK


STI24NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.168 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1400pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STI24NM60N
型号: STI24NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STI24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
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