STMICROELECTRONICS STI24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI24NM60N, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-262, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STI24NM60N Power MOSFET, N Channel, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
600V,17A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.168 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1400pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 10.75 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STI24NM60N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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