
















STMICROELECTRONICS STF11NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 10A
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MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
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晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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Newark:
# STMICROELECTRONICS STF11NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
600V,10A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 850pF @50VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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