STF11NM60ND

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STF11NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STF11NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 10A


贸泽:
MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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Verical:
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Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF11NM60ND  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
600V,10A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP


STF11NM60ND中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 850pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STF11NM60ND
型号: STF11NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STF11NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
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