















N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-262, 通孔
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STB24N60M2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 150000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB24N60M2 系列 N 沟道 600 V 0.19 Ohm 29 nC Mosfet - TO-263 D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 18A 190mOhm D2PAK **
DeviceMart:
MOSF N CH 600V 18A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.168 Ω
极性 N-CH
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1060pF @100VVds
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99