STB25NM50N-1概述
N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET
N-Channel 500V 22A Tc 160W Tc Through Hole I2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
STB25NM50N-1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 160W Tc
输入电容 2.57 nF
栅电荷 84.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 14.0 A, 22.0 A
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
额定功率Max 160 W
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STB25NM50N-1
型号： STB25NM50N-1
描述：N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET