STP16NK65Z概述
N沟道650V - 0.38OHM -13A TO- 220 I2SPAK齐纳 - 保护超网MOSFET N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET
N-Channel 650V 13A Tc 190W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
贸泽:
MOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220
STP16NK65Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 650 V
额定电流 13.0 A
通道数 1
漏源极电阻 500 mΩ
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2750pF @25VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STP16NK65Z
型号： STP16NK65Z
描述：N沟道650V - 0.38OHM -13A TO- 220 I2SPAK齐纳 - 保护超网MOSFET N-CHANNEL 650V-0.38OHM-13A TO-220 I2SPAK Zener - Protected SuperMESH MOSFET