STP6NK60ZFP

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STP6NK60ZFP概述

STMICROELECTRONICS  STP6NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


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N沟道 600V 6A


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MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH


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Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


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N-Channel 600 V 1.2Ω Zener-Protected SuperMESH™ Mosfet-TO-220FP


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP


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Power MOSFET, N Channel, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V


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Online Components:
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP


STP6NK60ZFP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 905pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STP6NK60ZFP
型号: STP6NK60ZFP
描述:STMICROELECTRONICS  STP6NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
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